MOS管開關頻率如何測算

MOS管在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

以IRF840的參數(shù)計算，假定門極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時間常數(shù)為63us。但是，不是經(jīng)過一個時間常數(shù)之后MOS管就關斷了，而是門極電壓下降到Vg(th)以下MOS管才會關斷。這段時間與MOS管型號有關，與門極充電達到的電壓有關(實際上門極電容并不是線性電容)，不太準確的估計，可以把門極電容放電時間估計為63us的2倍，即0.12ms。MOS管門極充電電阻較小(首帖圖中為3千歐)，估計充電時間為0.06ms。那么充電放電時間一共是0.18ms。該MOS管在此電路中最大開關工作頻率為5.5kHz。

MOS開關管的損耗計算

1、開通損耗

MOS管在開通過程中，電流，電壓和功耗的波形近似如下

Rds（on）為Mos管的導通電阻，會隨著MOS管結溫的變化而變化，一般MOS的Datasheet中都會給出一個溫度變化曲線，可以參考改曲線取值。

Idrms為導通過程中的電流有效值、Ton為一個周期內的導通時間、F為開關頻率

3、關斷損耗

MOS管在關斷過程中，電流，電壓和功耗的波形近似如下：

Idss為Mos管截止時在實際結溫情況下的漏電流，可以參考器件手冊取一個合適的值。Vds為截止時Mos管DS之間的電壓、Toff為一個周期內的截止時間、f為開關頻率。